Sandisk inand הם השבבים החדשים של 256 ג'יגה-בייט לסמארטפונים

משתמשי הסמארטפון דורשים כמויות גדולות של אחסון, ויצרנים מתמודדים עם הבעיה של אריזת כמויות גדולות של ג'יגה-בייט בחלל קטן מאוד. כדי לפתור את הבעיה הזו Western Digital הכריזה על שבבי הזיכרון החדשים של SanDisk iNAND בהספק של 256 GB בפורמט קומפקטי מאוד.

SanDisk iNAND פותח את הדלת לסמארטפונים VR ו- 4K

SanDisk iNAND החדשה מיוצרת בטכנולוגיית 3D פלאש NAND פלאש עם 64 שכבות, איתה מושגת צפיפות אחסון מרשימה, בתחילה שתי גרסאות יגיעו ל- iNAND 7750 ו- iNAND 8521 המובחנות בטווח שאליו מכוונות. SanDisk iNAND 7750 מיועד למסופים ברמת כניסה בה ברצונך להציע כמות גדולה של אחסון, לשם כך הוא מבוסס על ממשק eMMC 5.1, היכול להציע מהירויות קריאה וכתיבה רצופות של עד 250/125 מגה בייט. / ים.

ביקורת סמסונג גלקסי S8 בספרדית (סקירה מלאה)

מצד שני, ה- SanDisk iNAND 8521 מכוון למסופים העליונים, כאשר בנוסף לקיבולת רבה רצוי מהירות העבודה הגבוהה ביותר. לשם כך היא מבוססת על טכנולוגיית UFS 2.1 המסוגלת לספק מהירות גבוהה פי עשרה מאשר טכנולוגיית eMMC, מה שהופך אותה לאידיאלית למסופים המיועדים לצריכת תוכן מולטימדיה ב- 4K או למשחקי הווידאו התובעניים ביותר.

בדרך זו יהיה לנו דור חדש של מסופים עם קיבולת אחסון גדולה יותר ומוכנים לעידן המציאות המדומה ו- 4K, תרחישים שבהם דרושים GB רב. זה חוסך לנו את הצורך לרכוש בנפרד כרטיס זיכרון MicroSD בעל קיבולת גבוהה, עם העלות הנוספת שיש לכך ואובדן הביצועים.

גופן Busineswire