שבבי הזרוע החדשים של סמסונג ישיגו מהירויות שיא לסמארטפונים

סמסונג ו- ARM מודיעות כי שיתוף הפעולה הנוכחי שלהם יורחב. שתי הפירמות משתפות פעולה הדוק במעבדי ייצור של המשרד הקוריאני, שיש לו אחד מתהליכי הייצור המתקדמים ביותר בשוק. הדור הבא שלו כבר ייוצר בתהליך של 7 ננומטר. כך שצפויים ביצועים נהדרים משבבי החתימה החדשים הללו.

שבבי ה- ARM החדשים של סמסונג ישיגו מהירויות שיא לסמארטפונים

כתוצאה משיתוף פעולה זה, המעבדים יגיעו בסופו של דבר למהירות של 3 ג'יגה הרץ בליבות בעלות ביצועים גבוהים. באופן זה הם יחרגו מהשיא שקבע האקסינוס האחרון, על 2.9 ג'יגה הרץ.

סמסונג ו- ARM ממשיכות לעבוד יחד

חלק גדול מההצלחה הזו נובע מפלטפורמת ה- IP של Artisan Physical IP. בזכותו יתרונותיה יוחלו על מעבדי 7 הננומטר של סמסונג. ובהמשך אלה המיוצרים ב -5 ננומטר. הייצור של הראשונים יחל במחצית השנייה של השנה אם הכל יתנהל כשורה. אז בשנה הבאה הם צריכים להכות את השוק.

סמסונג קיבלה את ההובלה על פני הרבה מהחברות בענף, מכיוון שיש חברות כמו אינטל שנמצאות כיום אפילו לא בעשרה מעבדי ננומטר. כך שהמשרד הוא אחד החדשנים בשוק עד כה. כתוצאה משיתוף פעולה זה עם ARM.

כרגע לא ידוע מתי הם יגיעו לשוק, בשנת 2019 ככל הנראה, אך אין לנו תאריכים. לא ידוע גם אילו דגמים של המשרד הקוריאני ישתמשו בהם. אם כי יתכן ומדובר בגלקסי X ו / או גלקסי S10.

גופן של סמסונג