סמסונג מתחילה בייצור המוני של הדור השני של דרמה של 10 ננומטר

אין ספק שסמסונג היא אחת מיצרניות הזיכרון של DRAM וה- NAND הטובות בעולם, כעת דרום קוריאה עשתה צעד חדש קדימה בכך שהתחילה בייצור המוני של הדור השני שלה של DRAM במהירות 10nm.

סמסונג מייצרת כבר את המוני DRAM עם דור ה- 10nm השני שלה

גיויונג ג'ין, נשיא סמסונג הודיע ​​כי החברה כבר השיקה ייצור המוני של שבבי זיכרון חדשים של DRAM באמצעות הדור השני של תהליך ה- 10nm שלה. טכנולוגיה חדשה זו תגדיל את הפרודוקטיביות ב -30% בהשוואה לתהליך הייצור הקודם ב- 10nm, במקביל, הביצועים יגדלו ב- 10% ואילו היעילות האנרגטית תגדל ב- 15%.

RAMBUS מדבר על המאפיינים של זיכרון DDR5

על מנת להשיג שיפורים אלה, לא נעשה שימוש בטכנולוגיית EUV, אך הטכניקות הקנייניות של סמסונג יושמו. בחברה טוענים כי " מרווחי אוויר " שימשו להפחתת הקיבול הטפילי, מה שהפחית את השימוש המופרז באנרגיה הדרושה להגברת הביצועים של תאי הזיכרון.

הדור השני החדש של סמסונג 10nm DRAM יכול לפעול במהירות של 3, 600 מגה-ביט לשנייה, ומציע שיפור ניכר לעומת 3, 200 מגה-ביט לשנייה שמציע הזיכרון הנוכחי. הדור הבא של סמסונג של DDR4 של סמסונג יאפשר ייצור של ערכות זיכרון במהירות גבוהה עם תהליכי איגום IC פחות קיצוניים, מה שבתורו עלול להוריד את מחיר זיכרון DDR4 במהירות גבוהה.

טכניקה חדשה זו אינה בלעדית ל- DDR4 אך תשמש אותה גם בתקני זיכרון DRAM עתידיים כמו HBM3, DDR5, GDDR6 ו- LPDDR5. סמסונג כבר עובדת קשה בכדי להביא את סוגי הזיכרון החדשים הללו לשוק בהקדם האפשרי ובכך לחזק שוב את המנהיגות שלה בתחום.

גופן Overclock3d