סמסונג מתחילה בייצור המוני של זיכרון ה- vnand מהדור החמישי
תוכן עניינים:
סמסונג אלקטרוניקה, המובילה בעולם בטכנולוגיית זיכרון מתקדמת, הודיעה היום על תחילת הייצור ההמוני של שבבי הזיכרון VNAND מהדור החמישי החדש, שתציע את שיעורי העברת הנתונים המהירים ביותר הקיימים כיום.
הדור החמישי של סמסונג VNAND מיוצר כבר המוני
שבבי זיכרון VNAND מהדור החמישי החדשים מבית סמסונג מבוססים על טכנולוגיית ממשק DDR 4.0 המאפשרת להעביר נתונים ל -1.4 ג'יגה-ביט לשנייה, עלייה של 40 אחוזים לעומת הטכנולוגיה שלה. דור רביעי 64 שכבה. הדור החמישי VNAND הזה של סמסונג עורר לא פחות מ- 90 שכבות זיכרון, במבנה פירמידה עם חורים תעלות מיקרוסקופיות אנכיות. חורי התעלות הזעירים הללו, שרוחבם כמה מאות ננומטר בלבד, מכילים יותר מ 85 מיליארד תאי CTF שיכולים לאחסן שלוש פיסות נתונים כל אחת.
אנו ממליצים לקרוא את הפוסט שלנו בנושא זה אושר כי מחיר זיכרון ה- NAND ימשיך לרדת
יעילות האנרגיה של VNAND מהדור החמישי החדש של סמסונג נותרה דומה לזו של השבב 64-שכבות, בזכות הפחתת מתח ההפעלה מ -1.8 וולט ל -1.2 וולט. טכנולוגיית הזיכרון החדשה הזו מציעה גם את מהירות כתיבת הנתונים המהירה ביותר עד כה, 500 מיקרו שניות, שיפור של 30 אחוזים לעומת מהירות הכתיבה של הדור הקודם. בתורו, זמן התגובה לקריאת אותות הופחת משמעותית עד 50 מיקרו-שניות.
סמסונג תאיץ במהירות ייצור המוני של VNAND מהדור החמישי שלה בכדי לענות על מגוון רחב של צרכי שוק, מכיוון שהיא ממשיכה להוביל את תנועת הזיכרון בצפיפות גבוהה בענפים קריטיים כמו מחשבי-על, שרתים עסקיים ויישומים ניידים אחרונים.
גופן ל- PowerPowerupסמסונג מתחילה בייצור המוני של זיכרונותיה v
סמסונג החלה בייצור המוני של טכנולוגיית ה- V-NAND החדשה בעלת 64 שכבות המגיעה לצפיפות של 256 ג'יגה-ביט לשבב.
סמסונג מתחילה בייצור המוני של מודולי eufs 3.0
בקרוב נראה טלפונים ניידים עם נפח של 512 ג'יגה-בייט ועד קיבולת של עד 1 TB. סמסונג מתחילה בייצור מודולי אחסון של eUFS 3.0
סמסונג מתחילה בייצור המוני של צמתים של 7nm ו- 6nm
סמסונג הודיעה כי מתחם הייצור החדש V1 שלה החל לייצר המונים באמצעות צומת הסיליקון 7nm ו- 6nm.