סמסונג מתחילה בייצור המוני של צמתים של 7nm ו- 6nm
תוכן עניינים:
סמסונג היא אחד השחקנים הבודדים שנותרו בתחום הפיתוח החדשני של השבבים, ובעוד TSMC היא המובילה הבלתי מעורערת בשוק זה, סמסונג שואפת לפטר אותה בעתיד עם טכנולוגיית GAAFET שלה והשקעה כספית גדולה.
סמסונג מתחילה בייצור המוני של צמתים של 7nm ו- 6nm
סמסונג הודיעה כי מתחם הייצור V1 החדש שלה החל לייצר המונים באמצעות צומת הסיליקון 7nm ו- 6nm של החברה, עם כוונה לעבור בעתיד ל -3nm. קו זה מוקדש לטכנולוגיית הליטוגרפיה של EUV, אשר תהפוך לגורם חשוב יותר ויותר ככל שאנו עוברים מעבר ל 7nm.
הזמנת מתקן הייצור של EUV זו מהווה אבן דרך משמעותית בעולם ייצור הסיליקון שכן היא מספקת ל- TSMC תחרות נחוצה ומגדילה את יכולת הייצור המובילה בעולם של סיליקון. מספר דוחות בשנת 2019 כבר רשמו את Nvidia כאחת מלקוחות 7nm המובילים של סמסונג, מה שמאפשר לייצר את כרטיסי הגרפיקה מהדור הבא של Nvidia באמצעות טכנולוגיית הייצור של סמסונג 7nm.
בסוף השנה הנוכחית, סמסונג תשקיע 6 מיליארד דולר בקו ה- V1 שלה. השקעה זו תשלש את כושר הייצור של 7 ננומטר (ופחות) של החברה בהשוואה למה שהייתה בסוף 2019.
בקר במדריך שלנו למעבדים הטובים ביותר בשוק
Nvidia צפויה לחשוף כרטיס גרפי של 7 ננומטר ב- GTC 2020, שיתקיים בחודש הבא בין 22-26 במרץ. אנו נעדכן אותך.
גופן Overclock3dסמסונג מתחילה בייצור המוני של זיכרונותיה v
סמסונג החלה בייצור המוני של טכנולוגיית ה- V-NAND החדשה בעלת 64 שכבות המגיעה לצפיפות של 256 ג'יגה-ביט לשבב.
סמסונג מתחילה בייצור המוני של זיכרון ה- vnand מהדור החמישי
חברת סמסונג אלקטרוניקה, המובילה בעולם בתחום טכנולוגיות הזיכרון המתקדמת, הודיעה היום על תחילת ייצור המוני של שבבי הזיכרון החדשים שלה. סמסונג הודיעה היום על תחילת ייצור המוני של שבבי הזיכרון VNAND מהדור החמישי החדש, כולם הפרטים.
סמסונג מתחילה בייצור המוני של מודולי eufs 3.0
בקרוב נראה טלפונים ניידים עם נפח של 512 ג'יגה-בייט ועד קיבולת של עד 1 TB. סמסונג מתחילה בייצור מודולי אחסון של eUFS 3.0
