סמסונג אקסינוס 8895 של סמסונג יגיע ל -4 גיגה
תוכן עניינים:
ללא ספק הקפיצה לתהליך ייצור של 10 ננומטר תביא לנו יתרונות גדולים בתחום הכוח והיעילות האנרגטית במכשירים הניידים שלנו. נכון לעכשיו המעבדים לסמארטפונים אינם מגיעים ל -3 ג'יגה הרץ אך על מכשול זה אמור להתגבר על ידי Exynos 8895 ו- Snapdragon 830 בדור הבא.
סמסונג Exynos 8895 יהיה המעבד הנייד עם תדירות ההפעלה הגבוהה ביותר
היעילות האנרגטית הגדולה בתהליך FinFET 10nm של סמסונג תאפשר לכם ליצור מעבד Exynos 8895 מהשורה הראשונה שתביא לחיים את Samsung Galaxy S8. המעבד החדש הזה יוכל להגיע לתדר הפעלה מרהיב באמת עבור מכשיר נייד. האקסינוס 8895 זה יכלול ארבע ליבות Cortex-A73 בתדר פעולה של 4 ג'יגה הרץ לביצועים חסרי תקדים. ליעילות אנרגטית רבה אנו מוצאים גם ארבע ליבות Cortex-A53 הפועלות במהירות 2.7 ג'יגה הרץ.
תצורה חזקה מאוד לעמוד מול Qualcomm Snapdragon 830 שיישאר על 3.6 ג'יגה הרץ אך יהיה לו את העוצמה של גרפיקה האדרנו שלה, מתקדמת בהרבה מהמאלי בו משתמשת סמסונג בשבבי Exynos שלה עבור מה שיכול להיות ה- GPU זה שקובע סוף סוף מי משני השבבים הוא המלך החדש של הטווח הגבוה.
מקור: nextpowerup
סמסונג אקסינוס 8890 מתחיל להראות את השריר שלו
מכשיר ה- Exynos 8890 של סמסונג נבדק ב- Geekbench וקיבל ציון ליבה בודד של 2,304 נקודות וציון רב ליבות של 8,038 נקודות.
סמסונג מכריזה על אקסינוס 9, השבב הראשון שנעשה ב 10nm
סמסונג פרסמה את המצגת הרשמית של שבב Exynos 9 Series 8895 החדש שלה, שיופיע בטלפוני ה- Galaxy S8 החדשים של סמסונג.
גלקסי S9 של סמסונג עם אקסינוס 9810 עוברת דרך סניף גיק
סמסונג גלקסי S9 עם מעבד Exynos 9810 עובר Geekbench ומציג את הפוטנציאל המצוין של ערכת השבבים החדשה של סמסונג.