סמסונג מכריזה על אקסינוס 9, השבב הראשון שנעשה ב 10nm

סמסונג פרסמה את המצגת הרשמית של שבב Exynos 9 Series 8895 החדש שלה, שיופיע בטלפוני ה- Galaxy S8 החדשים של סמסונג. ההכרזה על המעבד החדש הזה מציינת אבן דרך טכנולוגית, שכן זהו מוליך המוליכים למחצה הראשון של 10 ננומטר שפגע בשוק בחודשים הקרובים.

Exynos 9 הוא המעבד החזק ביותר שיצר סמסונג אי פעם

Exynos 9 Series 8895 הוא מעבד המיועד אך ורק לטלפונים ניידים ויש לו תהליך ייצור חדש של 10nm FINFET ומבנה טרנזיסטור תלת מימדי, המתקדם בעולם עד כה. תהליך ייצור חדש זה משפר את הביצועים ב -27% ומפחית את צריכת האנרגיה ב- 40% בהשוואה לדגם הקודם של 14 ננומטר. ההתקדמות מבחינת צריכת האנרגיה תורגש מאוד כדי לשפר את האוטונומיה של הטלפונים הבאים של סמסונג, חשובה בהרבה מהשיפור במהירות.

Exynos 9 הוא מעבד בעל שמונה ליבות, ארבע מהן בעלות ביצועים גבוהים במהירות 2.5 ג'יגה הרץ וארבע ליבות Cortex-A53 בעלות עוצמה נמוכה במהירות של 1.7 ג'יגה הרץ. בתוך החבילה יש Mali G71 MP20 GPU הפועל במהירות 550 מגה הרץ ובקר זיכרון עם תמיכה ב- LPDDR4.

כלול גם מודם ה- LTE Cat 16 החדש, המאפשר שיעורי העברת נתונים מקוונים של עד 1 ג'יגה-בייט ויחידת עיבוד המסוגלת להקליט תוכן 4K במהירות של 120 פריימים לשנייה.

האקסינוס 9 נמצא כרגע בתהליך ייצור המוני וישמש בסמסונג גלקסי S8 הבאה יחד עם ה- Snapdragon 835, המיוצר גם הוא בעשרה ננומטר. סמסונג תשתמש בשבב זה או אחר, תלוי באזור עבור מכשיר ה- Samsung Galaxy S8 החדש לגמרי, שצפוי באפריל.