לסמסונג כבר מוכן תהליך הייצור שלה בשעה 8 ננומטר

סמסונג היא מהמובילות בעולם בייצור שבבי סיליקון ואין לה שום כוונה לזרוק את המגבת, הענק הדרום קוריאני כבר מוכן לתהליך חדש של ייצור מעודן יותר כדי לשפר את ביצועי השבבים שלה ושל אלה של צדדים שלישיים שנמצאים בהם היציקה שלה.

סמסונג כבר מוכנה את 8 הננומטר

סמסונג חשפה רשמית כי תהליך הייצור החדש של 8nm LPP (Low Power Plus) מוכן לייצור השבבים הראשונים, תהליך חדש זה מציע עד 10% ביצועים בהשוואה לתהליך 10nm הנוכחי של החברה עד 10% צמצום שטח של טרנזיסטורים.

צומת זה הוא עידון של צומת הייצור של סמסונג 10nm הקיימת של סמסונג, מה שהופך את התהליך הזה למעשה ל- 10nm +, אך שינוי שם מיושם לשיווק, שכן אנו זוכרים כי אין תקן כשמדובר מדוד את גודל הטרנזיסטורים כך שכל יציקה תוכל לבטא זאת בצורה שונה. משמעות הדבר היא שתהליכי הייצור של שתי חברות יכולים להיות שונים מאוד למרות שהם ככל הנראה זהים ל- nm.

מנכ"ל NVIDIA אומר כי חוק מור מת ו GPUs יחליפו מעבדים

היתרונות של צומת תהליכים חדשים זה הוא העובדה שהיא בונה על הטכנולוגיה הקיימת של סמסונג, ומאפשרת לסמסונג להאיץ במהירות את הייצור של 8 ננומטר על ידי התאמת הטכנולוגיה הקיימת של 10 ננומטר. סמסונג הצליחה לעבור הסמכה עם הצומת החדש הזה שלושה חודשים לפני לוח הזמנים, ומאפשרת לחברה לייצר שבבים פונקציונליים של 8 ננומטר לפני לוח הזמנים.

8nm יהיה הצומת הסופי של סמסונג לפני שהיא תעבור ל- EUV (Extreme Ultra Violet) עם צומת הייצור של 7nm, שתפתח עידן חדש לחוק מור, המאפשר ליצרנים לשבור כמה מהמגבלות שהיו סיכול ההתקדמות בענף.

7LPP תהיה טכנולוגיית תהליכי המוליכים למחצה הראשונה שתשתמש בפתרון ליתוגרפיה של EUV. המאמץ השיתופי של סמסונג ו- ASML פיתח 250 וולט כוח מקסימלי של EUV, המהווה את אבן הדרך החשובה ביותר להכנסת EUV בייצור בנפח גבוה. הפריסה של ליטוגרפיה של EUV תשבור את מחסומי סולם החוק של מור ותסלול את הדרך לדורות של טכנולוגיית מוליכים למחצה יחיד בננומטר.

גופן Overclock3d