סמסונג רוצה לייצר מעבדי 3nm בשנת 2022
תוכן עניינים:
סמסונג אירחה לאחרונה את פורום היציקה, אירוע שהם מארחים מדי שנה בארצות הברית. בתוכו נחשפו תוכניות החברה בתחום המעבדים. המשרד עסוק כרגע במעבדים של 7 ננומטר, למרות שהם רוצים להמשיך רחוק. מכיוון שהם רוצים להגיע ל -3 ננומטר כפי שאמרו באירוע.
סמסונג רוצה לייצר מעבדי 3nm בשנת 2022
החברה רוצה ללכת צעד אחר צעד בהקשר זה וכי זהו תהליך טבעי ושהוא מתקדם בקצב טוב. אבל הם רוצים להשיג את כל זה בארבע שנים. אז יש להם הרבה עבודה.
סמסונג ממשיכה להמר על מעבדים
הם מתמקדים כיום במעבדי 7nm, שהם הקטנים ביותר שיש להם כיום בשוק. אבל, השלב הבא הוא לעבור לייצור בגודל 5nm, שיהיה עם מעבדים אשר יתנו צריכת אנרגיה נמוכה מאוד. זהו צעד חשוב עבור סמסונג בהקשר זה והיא בטוחה לחולל מהפכה בשוק.
אבל אחרי 5 ננומטר, החתימה תרד ל- 3nm. עם החלטה זו הם יהפכו לחברה הראשונה בענף המייצרת מעבדים בארכיטקטורה זו. אם כי מעבדים אלה לא מתכוונים להתחיל בייצור עד 2022 לפחות. זה אושר באירוע זה באמריקה.
כרגע, ייצור מעבדי ה- 7nm שלה יחל במחצית השנייה של השנה. זה כבר אושר על ידי סמסונג עצמה. זהו הצעד הראשון בתוכניות שאפתניות אלה. אבל נצטרך לחכות מספר שנים כדי לראות את ההתפתחות במעבדים שלהם.
סמסונג מתכוננת לייצר שבבי 7nm בשנת 2018
סמסונג תחל לייצר שבבים בשעה 7 ננומטר בתחילת 2018 בטכניקת ייצור חדשה המבוססת על ננוליטהוגרפיה.
סמסונג מכריזה על תהליך mbcfet בגודל 3nm, 5nm תגיע בשנת 2020
אלה כוללים Finnf 5nm וריאציה GAAFET של 3nm שסמסונג רשמה כ- MBCFET (Multi-Bridge-Channel-FET).
אינטל תשתמש בצמתים של 6nm tsmc בשנת 2021 ו- 3nm בצמתים בשנת 2022
אינטל מצפה להשתמש בתהליך 6 ננומטר של TSMC בהיקף נרחב בשנת 2021 והיא בוחנת כעת.