סמסונג מדברת על הטכנולוגיה שלה v

לאחרונה נערך ביפן אירוע פורום ה- SSD של סמסונג, בו חשפה החברה הדרום קוריאנית את הפרטים הראשונים על יחידות הזיכרון V-NAND, בעלות 96 שכבות, המבוססות על טכנולוגיית QLC.

סמסונג מוסרת את הפרטים הראשונים של זיכרון ה- V-NAND QLC בן 96 שכבות

השימוש בזיכרון QLC V-NAND על גבי V-NAND TLC מציע צפיפות אחסון גבוהה יותר ב -33% ולכן עלות אחסון נמוכה יותר ל- GB, וזה מאוד חשוב אם אתה רוצה ש- SSD יחליף לחלוטין יום אחד כוננים קשיחים מכניים. מכשירי ה- SSD של סמסונג הראשונים לאמץ את זיכרון ה- V-NAND QLC שלה יהיו דגמים בעלי קיבולת גבוהה עבור אותם לקוחות שצריכים לאחסן כמות גדולה של נתונים, ואולי לא יתעניינו בביצועים מקסימליים, כראשון סוג זה יהיה מאחורי אלה המבוססים על TLC בהטבות.

אנו ממליצים לקרוא את הפוסט שלנו על מיטב ה- SSD של הרגע SATA, M.2 NVMe ו- PCIe

סמסונג עובדת בגלוי על כונני UD SSD בעלי קיבולת גבוהה במיוחד המבוססים על זיכרון Q-VAND QLC כבר למעלה משנה. כוננים אלה ישמשו ליישומי WORM (כתבו פעם אחת, קראו הרבה) יישומים שאינם מותאמים לכתיבה מהירה, אך מביאים ביצועים טובים יותר ממערכים מבוססי HDD. סמסונג מצפה שכונני NVMe הראשונים שלה עם QLC יציעו מהירויות קריאה רציפיות של עד 2, 500 מגהבייט לשניות, כמו גם עד 160K של IOPS שקראו אקראיות.

שורה נוספת של מוצרי סמסונג המבוססת על טכנולוגיית V-NAND QLC תהיה כונני SSD של צרכנים בהספקים העולים על 1TB. כוננים אלה ישתמשו בממשק SATA ויציעו תפוקות קריאה וכתיבה רצופות בסביבות 520 מגהבייט / שניות. סמסונג לא צופה ש- QLC V-NAND יחליף את TLC V-NAND כסוג הזיכרון הבזק העיקרי בכל עת בקרוב. ה- NAND QLC דורש בקרים יקרים יותר, עם יכולות עיבוד גבוהות משמעותית, כדי להבטיח עמידות נאותה.

גופן Anandtech