קוואלקום מכריזה על ה- Snapdragon 835 בשעה 10nm
תוכן עניינים:
קוואלקום רוצה לחזק את המנהיגות שלה בשוק מעבד המכשירים הניידים ומסיבה זו היא לא מפסיקה לעבוד במלוא המהירות, מעבד הכוכבים החדש שלה הוא Snapdragon 835 שיגיע בשנת 2017 מיוצר בתהליך החדש בגובה 10 ננומטר מסמסונג להציע. רמות יעילות אנרגיה שמעולם לא נראו ביקום אנדרואיד.
קוואלקום Snapdragon 835, מעבד העל החדש של העתיד
מעבד ה- Qualcomm Snapdragon 835 החדש יוצר באמצעות 10nm FinFET LPE של סמסונג ( Low Power Early ) לתהליך ביצוע ביצועים מרשימים תוך השגת יעילות אנרגטית אדירה לשיפור האוטונומיה של הסמארטפונים. הודות לתהליך הייצור החדש, ניתן להציע שבב חדש עם ביצועים גבוהים יותר של 27% וצריכת אנרגיה נמוכה יותר ב- 40%. לא נמסרו פרטים על הארכיטקטורה הפנימית שלה אך זה בוודאי מהמר על השימוש בליבות Kryo 2.0 שיכולות להגיע בתצורה של 8 ליבות המחולקות לשני אשכולות, פיתרון דומה מאוד לזה שנראה ב- Snapdragon 820 אך הכפיל את הליבות. מכל אשכול.
אנו ממליצים על המדריך שלנו למכשירי הסמארטפונים הנמוכים והבינוניים הטובים ביותר בשוק.
Snapdragon 835 זה עשוי להופיע לראשונה בקונגרס העולמי לנייד בשנת 2017 והוא בוודאי יכבוש את יצרני הסמארטפונים העיקריים. קוואלקום טענה כי ישנם כיום יותר מ -200 דגמים בפיתוח המבוססים על Snapdragon 820 ו- 821.
Tsmc תחל בייצור המוני של שבבים בשעה 10nm בסוף 2016
TSMC מודיעה ללקוחותיה כי יוכלו להתחיל בייצור המוני של שבבים ב- 10nm FinFET בסוף 2016
אינטל מכריזה רשמית על תהליך הייצור שלה בשעה 10nm
אינטל גאה להכריז על תהליך הייצור שלה בגודל 10 ננומטר, המאפשר לה לקשור טרנזיסטורים פי שניים מאשר תהליכים מתחרים.
אינטל תעשה 'שדרוג לאחור' בשעה 10nm כדי להפוך אותם למימוש
המעבדים היחידים שעשתה אינטל ב -10 ננומטר היו אגם קנון בלעדי עבור מגוון קטן של מחברות סיניות.