מיקרון מדבר על הפגרה עם אינטל בנוגע לחולות

מיקרון דיבר על הסיבה שמאחורי הפרידה עם אינטל לגבי שיתוף פעולה בפיתוח זיכרון NAND. בינואר האחרון הודיעו אינטל ומיקרון כי האיחוד שלהם בפיתוח זיכרון ה- NAND מסתיים, ושתי החברות מתכננות להמשיך ולפתח באופן עצמאי את טכנולוגיית ה- NAND.

מיקרון תמר על טכנולוגיית Charge-Trap לייצור שבבי ה- NAND שלה

הסיבה מאחורי ההתפרקות הזו לא הייתה ידועה עד כה, אם כי הכל העיד על כך שאינטל ומיקרון רצו לקחת את טכנולוגיית ה- NAND לכיוונים נפרדים. מיקרון ואינטל משתמשים בטכנולוגיית Floating Gate NAND, טכניקת ייצור שהם מקדמים כמעולה על דגם ה- Charge-Trap, המשמש כמעט את כל היצרנים האחרים כמו סמסונג, SK Hynix, Western Digital וטושיבה. במבט קדימה לדור הרביעי, מיקרון מתכנן לעבור ל- Charge-Trap, ולהשאיר את אינטל כתומכת היחידה בטכנולוגיית השער הצף.

אנו ממליצים לקרוא את הפוסט שלנו על מיטב ה- SSD של הרגע SATA, M.2 NVMe ו- PCIe (2018)

עד כה מיקרון היה ספקן באשר לאריכות החיים של זיכרון ה- NAND 3D Charg-Trap, והשערה כי נתונים עשויים ללכת לאיבוד לאחר חצי שנה ללא כוח. כך שמיקרון לא האמין כי ה- NAND שפותחה באמצעות Charge-Trap ניתן לשימוש כאמצעי אחסון לטווח הארוך. נכון לעכשיו מרבית היצרנים משתמשים ב- Charge-Trap ללא סימנים לבעיות אובדן נתונים, ולכן מיקרון החליטה לאמץ את הטכנולוגיה הזו שהיא דחתה עד כה.

למרות התפרקות זו, שתי החברות ממשיכות לעבוד יחד על פיתוח זיכרון XPoint, עם תוכניות להמשיך ולפתח את הטכנולוגיה כאמצעי אחסון לא נדיף, וכאלטרנטיבה ל- DRAM ביישומים נבחרים.

גופן Overclock3d