קיוקסיה מציגה יורש אפשרי ל"הבזק תאומים של ביקס ".

Kioxia, שכונה בעבר זיכרון טושיבה, יצר את ממשיך דרכו של זיכרון הבזק 3D NAND, שמציע צפיפות אחסון גבוהה יותר בהשוואה לפלאש ה- NAND של QLC.

Kioxia מעצבת טכנולוגיית Twin BiCS Flash, צפיפות זיכרון NAND

הטכנולוגיה החדשה הזו, שהוכרזה ביום חמישי, מאפשרת לשבבי זיכרון תאים קטנים יותר ואחסון רב יותר לתא, מה שיכול להגדיל משמעותית את צפיפות הזיכרון לתא.

קיוקסיה הכריזה על מבנה תאי הזיכרון הפיצול למחצה התלת-ממדי למחצה התלת-ממדי הראשון בעולם, בשם Twin BiCS Flash. זה שונה מהמוצר האחר של Kioxia, BiCS5 Flash. BiCS5 Flash משתמש בתאי מלכודת טעינה עגולים, ואילו Twin BiCS Flash משתמש בתאי שער צפים למחצה. המבנה החדש מרחיב את חלון התכנות של התא, אם כי התאים קטנים יותר פיזית בהשוואה לטכנולוגיית CT.

פלאש Twin BiCS הוא כרגע האפשרות הטובה ביותר להצליח עם טכנולוגיית NAND של QLC, אם כי היישום העתידי של שבב זה עדיין לא ידוע. השבב החדש הזה מגדיל באופן משמעותי את האחסון של זיכרון הפלאש, מה שהיה בעיה גדולה עבור היצרנים, אם כי כרגע יש שלוש אסכולות כיצד לתקן זאת.

אחת האפשרויות היא להגדיל את מספר השכבות. היצרנים אישרו לאחרונה שבבי פלאש NAND עם 96 שכבות וקיבלו שבבי פלאש NAND עם 128 שכבות. דרך נוספת להגדיל את צפיפות טכנולוגיית ה- Flash של NAND היא לצמצם את גודל התאים, ולאפשר להצבת יותר תאים בשכבה אחת.

בקר במדריך שלנו על כונני SSD הטובים ביותר בשוק

הדרך האחרונה להגדיל את צפיפות זיכרון ה- NAND היא לשפר את סך כל הסיביות לתא, שהוא השימוש המשמש ביותר על ידי היצרנים. שיטה זו אפשרה לנו להשיג SLC, MLC, TLC, והאחרונה היא QLC NAND, המגדילה את מספר הסיביות לתא אחד בהשוואה לטכנולוגיה קודמת.

הטכנולוגיה החדשה יותר הזו, Twin BiCS Flash, עדיין נמצאת בשלב המחקר והפיתוח והיא רחוקה שנים רבות מיושמה. למרות שבבי ה- NAND המהווים 128 שכבות של NIC של BiCS5 אמורים לפגוע בשוק בשנת 2020, היצרנים, SK Hynix, וסמסונג הצליחו לעלות על 100 שכבות בתחילת 2019, עם שבבי NAND 4D עם שכבה 128 ו- V-NAND v6.

גופן Wccftech