אינטל תעזוב 10nm אחרי dg1: tsnc 6nm ו- 3nm לעתיד

תוכן עניינים:

אינטל DG1, תחילתו של עידן GPU מטריד
DG1: השקה ומחיר

אינטל עשויה להיות תוכנית להוריד 10nm אחרי DG1 לדור הבא של Xe, שם היא תשתמש ב- 6nm ו- 3nm של TSMC.

נראה כי אינטל התייחסה ברצינות רבה לכרטיסי הגרפיקה Intel Xe הביצועים הגבוהים שלה. קיבלנו מידע מטייוואן שישאיר אתכם חסרי מילים מכיוון שיכולנו לראות ברית עתידית עם TSMC. וזה שמייצר שבבים זה מציע את הטכנולוגיה העדכנית ביותר בתהליך הייצור. הדור הבא של אינטל Xe יכול להיות בעל צומת 6nm ו- 3nm.

אינטל DG1, תחילתו של עידן GPU מטריד

עמיתינו לטייוואן TechNews השמיעו שמועה שהפכה את הרשת על פיה. אינטל תאשר את הנחיתה שלה בתחום ה- GPU עם ה- DG1 שלה השנה, רכיב עם צומת 10 ננומטר. עם צריכת 25W, הביצועים שלו גבוהים יותר מה- NVIDIA MX 250.

המידע מתמקד בפיתוח של אינטל Xe. בעתיד, אינטל מקווה לפתח במשותף את הדור הבא שלה עם TSMC עם תהליך ייצור של 6 ננומטר בשנת 2021 וצומת 3 ננומטר בשנת 2022. סמנכ"ל הכספים של אינטל, ג'ורג 'דייויס, כבר הצהיר בפומבי כי בתגובה לקיבולת התהליך הלא מספקת של 14 ננומטר, אינטל תגדיל את קיבולה בשנת 2020.

עבור אינטל, בעיית תהליך הייצור הרחיקה מאוד והיא בעיה שיש לפתור. מקורות שונים מציעים כי אינטל תתחיל לייצר את ה- GPU והערכות השבבים שלה באמצעות צומת EUV של 6nm EUV בשנת 2021. הסיבה ש- TSMC מייצרת GPUs היא מכיוון שהייצור שלה פשוט יותר ו- TSMC מתמחה בה.

DG1: השקה ומחיר

על פי נתוני אינטל הרשמיים, ארכיטקטורת אינטל Xe DG1 תשתמש ב- 10nm ותהיה זמינה בסוף 2020. יהיו לה 96 איחוד אירופי ( יחידות ביצוע ) בסך הכל 768 ליבות, תדר בסיס של 1 ג'יגה הרץ, תדר טורבו של 1.5 ג'יגה הרץ ו- 1 מגה בייט. לבסוף, יהיה לו זיכרון וידיאו של 3 ג'יגה-בייט וצריכה מרבית של 25 וואט. באשר לביצועיו, הוא ממוקם בין GTX 1050 ל- GTX 1650.

המיקום של DG1 לא יהיה ברמה גבוהה, אך בעתיד יהיו שני דורות חדשים של DG2. ההערכה של DG2 היא עבור הקצה הגבוה של כרטיסי הגרפיקה ותשתמש בתהליך הייצור של 7 ננומטר המיוצר על ידי TSMC, אם כי אחרים טוענים שזה יהיה 6nm EUV. האמת היא כי אינטל שוקלת לייצר המוני את תהליך ה- 7nm עד 2021, כפי שראינו עם פונטה ווצ'יו עבור מרכזי נתונים.