Ibm מציג את השבב הראשון של 5 ננומטר

יבמ הודיעה היום על פיתוח גדול, שביקשה לחולל מהפכה בתעשייה. החברה האמריקאית מציגה את השבב הראשון של 5 ננומטר.

יבמ מציגה את השבב הראשון של הננומטר הראשון

נכון לעכשיו, כל השבבים מתחת ל -22 ננומטר משתמשים בשיטת FinFET. אולם שיטה זו מגיעה רק ל -7 ננומטר. לכן, שיטת GAAFET תשתמש בכדי להגיע לחמישה ננומטר. יש לקוות ששיטה זו יכולה להגיע אפילו לשלושה ננומטר.

מה אנו יודעים על השבב הזה?

בזכות פיתוח שיטת GAAFET, השבב יהפוך לאמין יותר ויציע ביצועים טובים יותר. זה צפוי להציע שיפור ביצועים של 40%, תוך שמירה על אותה צריכה לעומת השבבים הקיימים של 10 ננומטר. זכור כי 10 שבבי הננומטר הם עדכניים מאוד. נכון לעכשיו, מרבית הנמצאים בשוק הם 10 או 12 ננומטר.

אנו ממליצים לקרוא את המעבדים הטובים ביותר בשוק

7 שבבי הננומטר הראשונים צפויים להגיע בין 2018 ל -2019. רק ב 2021 לפחות יגיעו שבבי 5 ננומטר של יבמ בשוק. לכן יש עדיין המתנה של ארבע שנים לפחות. מכיוון שגם אין שום ערבויות לגבי מועד יציאתו.

מקור: יבמ