היינקס כבר מייצרת 8 זיכרון gddr5 ghz
הזיכרון לכרטיסים גרפיים עומד ב GDDR5 כבר כמה שנים ולמרות שבשנה הבאה AMD צפויה לבצע את הקפיצה ל- HBM, אנו רואים שה- GDDR5 הנוכחי עדיין יכול לתת ביצועים קצת יותר עכשיו, כעת נראה כי תחליפים.
SK Hynix הודיעה שהם כבר מייצרים שבבי זיכרון GDDR5 המוניים בתדר אפקטיבי של 8 ג'יגה הרץ וכי הם זמינים כעת עבור יצרני כרטיסי הגרפיקה להתחיל להשתמש בדגמים שלהם. ככל הנראה הכרטיסים הגרפיים הראשונים שהרכיבו הם אלה המצוידים ב- GPU Nvidia GM200 בעל ביצועים גבוהים בעתיד, הידוע יותר בשם Big Maxwell.
יתכן גם כי משתמשים בשבבים חדשים אלה ב- GeForce GTX 980 עם תכנון מותאם אישית כדי להגדיל את הביצועים שלהם, השימוש בשבבים החדשים הללו יגדיל את רוחב הפס ב -14.2%, ועובר מ- 224 GB / s ל- 256 GB / s.
מצידו של AMD אין צורך להשתמש בזיכרון GDDR5 בתדר כה גבוה מכיוון שהוא משתמש בממשק 512 סיביות בכרטיסים שלו חזק יותר מ GPU ההוואי. נזכיר כי סדרת Radeon R300 מהדור הבא תעלה זיכרונות HBM המציעים רוחב פס גבוה בהרבה מ- GDDR5.
מקור: קיטגורו
היינקס מייצרת שבבי ddr4 של 16 ג'יגה-בתים, תאפשר אפלוליות עד 256 ג'יגה-בתים
Sk Hynix הוסיפה לקטלוג המוצרים שלה את שבבי הזיכרון החדשים של 16 GB DDR4, שאמורים לאפשר להכפיל את קיבולת הזיכרון המרבית לכל DIMM. זה מאפשר ל- SK Hynix למכור שבבים באותה קיבולת עם פחות מערכי מוליכים למחצה של זיכרון.
סמסונג מייצרת כבר המוני את הדור השני של זיכרון lpddr4x בננומטר
חברת סמסונג אלקטרוניקה, המובילה בעולם בטכנולוגיית זיכרון בעלת ביצועים גבוהים לכל סוגי המכשירים האלקטרוניים, הודיעה היום כי הודיעה כי סמסונג החלה בייצור המוני של הדור השני של זיכרון LPDDR4X בן 10 ננומטר, כל הפרטים.
היינקס משחררת זיכרון פלאש 412 ג'יגה-בייט Nand CTF 4d-Layer הראשון
SK Hynix שיחררה היום את פלאש ה- 96 שכבה 512 ג'יגה-בתים 4D שכבה -ב 96 שכבה (Charge Trap Flash). כונני 1 TB יגיעו בשנה הבאה.
